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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
75
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
2,036.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
73
读取速度,GB/s
3,986.4
14.1
写入速度,GB/s
2,036.1
7.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
1609
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
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