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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

总分
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

总分
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Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 14.1
    测试中的平均数值
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    73 left arrow 75
    左右 -3% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 2,036.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    75 left arrow 73
  • 读取速度，GB/s
    3,986.4 left arrow 14.1
  • 写入速度，GB/s
    2,036.1 left arrow 7.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    714 left arrow 1609

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较

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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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INTENSO 5641152 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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