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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
75
左右 -108% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
36
读取速度,GB/s
3,986.4
15.3
写入速度,GB/s
2,036.1
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2737
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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