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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
75
左右 -36% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
55
读取速度,GB/s
3,986.4
16.0
写入速度,GB/s
2,036.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2699
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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