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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
73
读取速度,GB/s
13.3
15.1
写入速度,GB/s
9.1
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
1744
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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