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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.3
18.4
写入速度,GB/s
9.1
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3265
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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