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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.3
16.7
写入速度,GB/s
9.1
12.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3308
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
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