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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
81
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
81
读取速度,GB/s
13.3
8.5
写入速度,GB/s
9.1
5.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
1651
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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