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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
12.8
16.2
写入速度,GB/s
8.3
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
3026
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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