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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
12.8
14.6
写入速度,GB/s
8.3
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
3124
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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