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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
12.8
16.0
写入速度,GB/s
8.3
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
3238
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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