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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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规格
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
12.8
15.4
写入速度,GB/s
8.3
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
2771
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
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