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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
12.8
18.0
写入速度,GB/s
8.3
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
3711
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
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Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
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