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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
45
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
45
读取速度,GB/s
12.8
11.4
写入速度,GB/s
8.3
8.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
2281
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
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