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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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规格
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
12.8
15.8
写入速度,GB/s
8.3
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
2902
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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