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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.8
8.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
12.8
8.6
写入速度,GB/s
8.3
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
2094
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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