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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
100
左右 58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
100
读取速度,GB/s
12.8
15.2
写入速度,GB/s
8.3
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
1479
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
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