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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
12.8
17.8
写入速度,GB/s
8.3
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
3086
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
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