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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
总分
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
总分
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
12.8
19.1
写入速度,GB/s
8.1
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2123
3768
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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