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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
总分
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
12.8
16.5
写入速度,GB/s
8.1
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2123
2537
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
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