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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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规格
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需要考虑的原因
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
42
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
19
读取速度,GB/s
12.8
19.5
写入速度,GB/s
8.1
15.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2123
3435
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
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