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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
比较
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
总分
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
总分
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
12.7
15.7
写入速度,GB/s
7.9
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2118
2553
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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