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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
比较
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB vs Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
总分
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
总分
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
46
读取速度,GB/s
12.7
11.4
写入速度,GB/s
7.9
12.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2118
2541
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
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