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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB vs Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

总分
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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

总分
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Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 30
    左右 13% 更低的延时
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB 需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.1 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.6 left arrow 7.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 20.1
  • 写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 14.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2118 left arrow 3443

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
内存RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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内存RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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