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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比较
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
总分
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
83
左右 69% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
83
读取速度,GB/s
12.7
14.3
写入速度,GB/s
7.9
7.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2118
1752
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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