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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
比较
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
总分
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
总分
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.7
9.8
写入速度,GB/s
7.9
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2118
2271
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
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