RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
比较
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
总分
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
40
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
26
读取速度,GB/s
12.7
15.9
写入速度,GB/s
7.5
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2201
2855
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link