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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
比较
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
总分
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
总分
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
35
读取速度,GB/s
12.7
16.8
写入速度,GB/s
7.5
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2201
2962
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
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