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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
40
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
36
读取速度,GB/s
12.7
14.7
写入速度,GB/s
7.5
10.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2201
2490
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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