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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
比较
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
总分
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
41
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
39
读取速度,GB/s
13.3
15.7
写入速度,GB/s
8.6
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2958
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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