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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
比较
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
总分
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
13.3
19.0
写入速度,GB/s
8.6
13.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3331
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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