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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
比较
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
总分
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
总分
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
55
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
55
读取速度,GB/s
13.3
9.4
写入速度,GB/s
8.6
7.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2117
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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