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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
13.8
16.1
写入速度,GB/s
7.8
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
3022
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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