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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
25
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
18
读取速度,GB/s
13.8
20.3
写入速度,GB/s
7.8
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
3431
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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