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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
13.8
17.5
写入速度,GB/s
7.8
12.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
3083
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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