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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Kingston 9905702-006.A00G 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
差异
规格
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9905702-006.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
13.8
15.1
写入速度,GB/s
7.8
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2499
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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