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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
13.8
16.9
写入速度,GB/s
7.8
11.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
3167
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAM的比较
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
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