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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
13.8
14.2
写入速度,GB/s
7.8
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2474
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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