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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
13.8
15.4
写入速度,GB/s
7.8
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2854
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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