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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
76
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
76
读取速度,GB/s
13.8
10.3
写入速度,GB/s
7.8
6.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
1260
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
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