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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
13.8
15.0
写入速度,GB/s
7.8
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2247
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-008.A03G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
INTENSO M418039 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
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