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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
比较
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
总分
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
10.0
16.1
写入速度,GB/s
5.7
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1435
3305
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
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