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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
比较
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
总分
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
10.0
21.0
写入速度,GB/s
5.7
17.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1435
4006
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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