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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
比较
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
总分
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
12.8
17.2
写入速度,GB/s
7.5
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2032
3035
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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