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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
12.6
17.6
写入速度,GB/s
6.8
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
3412
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
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A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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