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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
12.6
17.3
写入速度,GB/s
6.8
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
3111
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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