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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
55
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
55
读取速度,GB/s
12.6
21.0
写入速度,GB/s
6.8
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
2457
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
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