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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
39
左右 -179% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
26.4
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.8
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
14
读取速度,GB/s
12.6
26.4
写入速度,GB/s
6.8
19.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
4362
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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