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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
39
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
23
读取速度,GB/s
12.6
16.1
写入速度,GB/s
6.8
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
2613
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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