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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Kingston 9905702-400.A00G 8GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
30
读取速度,GB/s
12.6
18.5
写入速度,GB/s
6.8
15.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
3423
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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