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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
比较
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Kingston 9905702-136.A00G 8GB
总分
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
37
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
21
读取速度,GB/s
13.7
18.0
写入速度,GB/s
7.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2102
3141
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
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